JFETs - Дистрибьютор электронных компонентов - Страницы 264

Производитель

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

продукты

264 / 268 Страницы，Всего 3207 Данные Предыдущая страница | Следующая страница

Номер запчасти	Производитель	Описание	Запасы	Количество	Упаковка	Статус	Подробности
J3C145CUA/T0BC792V	NXP USA Inc.	JFET	2739	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J3C145CX1/T0BC732J	NXP USA Inc.	JFET	4904	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J3C145CX1/T0BC776J	NXP USA Inc.	JFET	8643	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J3D016YXU/T1AY599J	NXP USA Inc.	JFET	2452	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J3D016YXV/T1AY599J	NXP USA Inc.	JFET	9382	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J3D081VXU/T1AV5ADJ	NXP USA Inc.	JFET	6862	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J3D081YXU/T1AY5E4J	NXP USA Inc.	JFET	6149	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J3D081YXV/T1AY5E4J	NXP USA Inc.	JFET	3076	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J3E081CA4/S1ACH49J	NXP USA Inc.	JFET	5263	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J3E081GXS/S1AGCK7J	NXP USA Inc.	JFET	2204	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J3E082EA4/S0BE5AQJ	NXP USA Inc.	JFET	4730	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J3E082EA6/S0BE503J	NXP USA Inc.	JFET	8333	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности

264 / 268 Страницы，Всего 3207 Данные

JFETs

Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.